Il Galaxy S6 includerà la nuova generazione di memorie UFS?

Secondo il giornale coreano ETNews, che cita una fonte interna di Samsung, la società coreana dovrebbe utilizzare la nuova generazione di memorie flash NAND nel prossimo Galaxy S6. La tecnologia in questione si chiama UFS 2.0, che sta per Universal Flash Storage.

Questo nuovo tipo di memoria è in grado di raggiungere una velocità di trasferimento simile alle SSD, ma i costi sono di molto inferiori. In termini di prestazioni, l'UFS è tre volte più veloce della memoria eMMC, grazie ad una velocità di 1,2 GB/s. Anche dal punto di vista energetico sono da registrare dei miglioramenti in quanto essendo più efficienti il loro impatto sulla batteria diminuirà sia a livello di autonomia che di surriscaldamento.
Oltre a Samsung, anche Xiaomi dovrebbe adottare le memorie UFS 2.0 nei prossimi prodotti.