Samsung: al via la produzione delle memorie DDR3 da 4Gb

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Samsung ha ufficialmente annunciato l'inizio della produzione di massa delle "memorie DDR3 più avanzate", basate sul processo produttivo a 20 nanometri. Le nuove DRAM da 4Gb (gigabit) utilizzano una tecnologia di patterning "immersion ArF lithography", che secondo i coreani spianerà la strada alla prossima generazione di DRAM a 10 nanometri. Grazie a queste nuove memorie da 20 nanometri, Samsung è riuscita a diminuire il dispendio di energia rispetto ai chip DDR3 da 25 nanometri.