Samsung: al via la produzione di memoria LPDDR4 da 8 gigabit (1 GigaByte)

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Samsung ha ufficialmente annunciato l'inizio della produzione delle memorie DRAM da 8 gigabit LPDDR4 ovvero 1 Gigabyte. Questi chip, che saranno realizzati con processo produttivo a 20 nanometri ed utilizzeranno l'interfaccia I/O Low Voltage Swing Terminated Logic, offriranno 1 gigabyte di memoria per Die, la densità più alta mai raggiunta per un componente DRAM.

Grazie a ciò, i dispositivi mobili su cui saranno montate saranno in grado di raggiungere una velocità di trasferimento pari a 3200Mbps per pin, con un consumo di energia del 40% inferiore rispetto a quelle attualmente in commercio. La nuova DRAM permetterà anche alle applicazioni di essere più reattive e veloci, ed offrirà anche un migliore supporto per i dispositivi UHD senza compromettere la durata della batteria. E' probabile, secondo quanto riportato da SamMobile, che le nuove memorie possano debuttare nel nuovo Galaxy S5.
Samsung: al via la produzione di memoria LPDDR4 da 8 gigabit (1 GigaByte)