IDF 15: Samsung comincerà a produrre memorie HBM all'inizio del 2016

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Samsung ha reso noto, all'Intel Developer Conference 2015, che ad inizio 2016 inizierà il processo di produzione delle memorie a strati HBM. Non si è ancora a conoscenza del periodo in cui saranno disponibili alla massa.

High Bandwidth Memory è il nome delle nuove memorie fatte a livelli, che vedremo integrate in tantissimi dispositivi nel breve termine, soprattutto sul PCB di schede video. Nate da una collaborazione fra SK Hynix ed AMD, questi chip sono stati utilizzato per la prima volta proprio sull'ultima GPU di punta della casa di Sunnyvale, la Radeon R9 Fury X. Quest'ultima ha debuttato con 4GB di memoria HBM, formata da quattro die da 1GB ciascuno.
I passi fatti sul bandwidth di queste memorie è impressionante, ma la differenza con le GDDR5 è notevole solo teoricamente, in quanto attualmente le schede grafiche posseggono larghezze di banda più che sufficienti per i compiti che svolgono. 

Con Samsung che si metterà in partita, vedremo nuovi processori equipaggiare le memoria HBM. La società asiatica ha in mente di rivolgersi anzitutto al settore HPC (High Performance Computing), almeno inizialmente.
Anche NVIDIA userà la suddetta tecnologia sulle prossime schede video Pascal, e si parla già di 32GB di memoria HBM.

SK Hynix sembra però che darà ad AMD una sorta di "accesso prioritario" alla sua produzione, merito della partnership siglata dai due. Possibile quindi che NVIDIA decida di rivolgersi a Samsung, per maggiori garanzie. Non vediamo l'ora di sapere qualcosa in più sulle HBM prodotte dal colosso sudcoreano.

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