Intel vuole sfondare nel mercato delle memorie NAND con un grosso investimento

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Sembra che l’azienda americana abbia tutta l’intenzione di sfondare nel mercato delle memorie NAND: ha messo a disposizione circa 3,5 miliardi di dollari per convertire uno dei suoi impianti in Cina e renderlo capace di produrre chip di memoria.

Potrebbero volerci diversi anni prima che il piano giunga alla sua conclusione. La fabbrica in questione si trova precisamente a Dalian, in Cina, e fu aperto nel 2010.

In questo momento Intel si trova in una joint venture con Micron per la produzione di memorie flash, che potremo trovare a bordo dei prossimi solid state drive a marchio Intel.
Questo investimento senza dubbio potrà permettere agli americani di ridurre la loro dipendenza da Micron, poiché renderà capace Intel di prodursi le memorie da sé. Micron potrebbe persino perderci un bel po’.

Il rivalutato impianto di Intel sarà occupato per la produzione delle 3D NAND, iniziando dalla seconda metà del 2016, e quindi ci vorrà un po’ per cominciare ad avere qualche riscontro pratico. L’annuncio è stato effettuato da Rob Crookie, Senior Vice President e General Manager presso la sezione non-volatile memory di Intel.
La somma investita potrebbe salire a 5,5 miliardi di dollari nei prossimi cinque anni, visto che potrebbe rivolgersi anche alle nuove memorie 3D XPoint, oltre che alle NAND. Le 3D XPoint dovrebbero garantire moltissimi miglioramenti rispetto all’attuale generazione, e la partnership stabilita con Micron riguarda proprio queste ultime. Che le relazioni con quest’ultima debbano andare compromettendosi?

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