Le memorie ottiche di IBM sono 50 volte più veloci di quelle Flash

I ricercatori IBM hanno sviluppato una memoria cosiddetta PCM, a cambiamento di fase, in grado di offrire una elevatissima durata e densità, oltre al fatto di non perdere dati in assenza di energia come avviene per le memorie DRAM. Il traguardo è stato raggiunto trasferendo ed archiviando 3 bit di dati per cella sulla memoria PCM.

Le memorie PCM potrebbero essere usate per installare i sistemi operativi mobili, permettendo agli smartphone di avviarsi in pochissimi istanti, mentre in ambito aziendale si potrebbero archiviare interi database da processare ad una velocità mai ottenuta prima.
Per archiviare i dati in una cella PCM è necessario applicare una corrente elevata al materiale amorfo, primo stato della memoria che non ha una struttura ben definita. In questo momento avviene il passaggio di stato, con una struttura, definita cristallina. Nella fase amorfa abbiamo quindi una bassa conducibilità elettrica, mentre nella cristallina abbiamo alta conducibilità (quando è alto lo stato è "1", quando è basso lo stato è "0", o viceversa). Per la lettura di dei dati invece si applica una tensione bassa.
"Raggiungere i 3 bit per cella rappresenta una pietra miliare significativa perché, con questa densità, il costo delle PCM sarà notevolmente più basso delle memorie DRAM e piu vicino a quelle Flash", ha dichiarato il Dott. Haris Pozidis dell'IBM Research.
La ricerca deve essere ancora sviluppata commercialmente e dall'azienda fanno sapere di essere fiduciosi che ciò avvenga in tempi brevi.