Un leak svela la presenza del nuovo Snapdragon 855 Plus nel Galaxy Note 10

La nuova gamma Samsung Galaxy Note 10 dovrebbe uscire ufficialmente tra due settimane ed è lecito pensare che l’azienda abbia finalizzato il dispositivo e fornito le istruzioni per la produzione e l’assemblaggio alle sue strutture.

Un nuovo leak da parte del noto leaker Steve H. McFly sembra suggerire la presenza dei nuovi chipset Snapdragon 855 Plus ad alta potenza e dei chipset Exynos 9825 (per le zone fuori dagli U.S.) fabbricati a 7nm. Se fosse confermato Samsung supererebbe Apple introducendo un processore smartphone “top-of-the-shelf” su un suo prodotto di punta.

Il rapporto afferma inoltre che ci sarà una sola variante del Galaxy Note 10 in commercio con 8Gb di ram e 256Gb di memoria interna. La fotocamera posteriore include un obiettivo primario da 12Mp, con 16Mp ultra wide e 12Mp di Zoom e sensore DepthVision “Time of Flight”.

Il phablet da 6.8 di Samsung sarà alimentato da una batteria da 4.500 mAh e potrà essere ricaricato con caricabatterie da 25 W (incluso nella confezione) o da 45 W. Il nuovo Note sarà anche il primo dispositivo Samsung con archiviazione UFS 3.0 e S-Pen con “Air Actions”.

Il 7 Agosto è vicino e presto sapremo se tutte le specifiche saranno confermate.