Samsung Galaxy S10 potrebbe introdurre le memorie UFS 3.0, LPDDR5 nel 2020

Samsung Galaxy S10 potrebbe introdurre le memorie UFS 3.0, LPDDR5 nel 2020
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Durante il Summit 4G/5G tenuto da Qualcomm a Hong Kong, Samsung ha annunciato alcune notizie relative alle memorie, che dovranno adattarsi alla maggiore velocità della rete. La "rivoluzione" in tal senso avrà inizio già nel 2019, quando verranno rese disponibili le prime memorie UFS 3.0, nelle varianti da 128, 256 e 512 GB.

Queste ultime potrebbero anche già essere implementate su Samsung Galaxy S10, stando ad alcune fonti. Dovremo invece aspettare il 2021 per le prime soluzioni UFS 3.0 da 1 TB, anche se i produttori avranno la possibilità di realizzare smartphone con due moduli da 512 GB, raggiungendo già questo traguardo. Samsung intende anche sfruttare l'evoluzione della tecnologia NAND 3D per aumentare la densità di archiviazione, senza aumentare le dimensioni dei moduli di memoria. Lo standard UFS 3.0 non aumenterà solamente la dimensione della memoria interna, ma raddoppierà anche la velocità di archiviazione dei dati.

Oltre alle memorie interne, si prevedono novità anche in ambito di RAM, con il probabile arrivo della tecnologia LPDDR5 nel 2020. Infatti, Samsung inizierà la produzione di massa di queste ultime tra un paio di anni. Le memorie di questo tipo promettono una banda tra 44 e 51 GB/s, oltre che a una riduzione del 20% dei consumi.

Insomma, non ci resta che attendere e vedere quali saranno gli sviluppi futuri in ambito smartphone, che sembrano essere particolarmente interessanti.

FONTE: PhoneArena
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