Samsung, traguardo nei chip a 3 nm: seconda generazione in arrivo, ma TSMC è lontana

Samsung, traguardo nei chip a 3 nm: seconda generazione in arrivo, ma TSMC è lontana
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Inaspettatamente, Samsung è arrivata per prima ai 3 nm nella produzione dei chip, nel mese di maggio 2022, anticipando di qualche settimana la principale rivale, TSMC. Oggi, l'azienda coreana ha annunciato la cornice nella quale si sbottonerà sul suo nodo a 3 nm di seconda generazione, chiamato SF3 o 3GAP.

Come i più attenti ricorderanno, Samsung aveva iniziato a usare il nodo SF3E, o 3 nm Gate-All-Around, lo scorso anno, anticipando TSMC ma limitando la produzione di chip a 3 nm a poche linee selezionate, senza aspettarsi di implementarlo su ampia scala prima di qualche anno. Per questo, TSMC è diventata la principale produttrice di chip a 3 nm negli scorsi mesi, ottenendo clienti importanti come Apple, NVIDIA, Intel, Qualcomm e AMD.

Durante il Symposium on VLSI Technology and Ciruits del 2023, che si terrà tra l'11 e il 16 giugno a Kyoto, in Giappone, Samsung svelerà il nodo SF3 (o 3GAP), ovvero la sua seconda iterazione nel campo dei processi produttivi a 3 nm. Il nodo SF3 si baserà sul nodo SF3E, che attualmente si trova in produzione avanzata e che verrà notevolmente migliorato, ma per il momento Samsung non ha fornito dati comparativi tra i due processi SF3 e SF3E.

In compenso, il colosso coreano ha paragonato il nodo SF3 al nodo SF4 LPP (low-power plus a 4 nm), spiegando che il primo consuma il 34% in meno del secondo a parità di clock e che ha un'area totale pari al 79% di quella necessaria per un chip con uguale numero di transistor a 4 nm. Inoltre, il nodo dovrebbe garantire anche una potenza molto più elevata a parità di transistor e di consumi rispetto all'SF4 LPP.

Secondo Samsung, inoltre, il nodo SF3 offre maggiore flessibilità nel design a chi desidera implementare chip basati su tale soluzione, per via della lunghezza variabile delle nanosheet realizzate tramite il processo Multi-Bridge-Channel Field-Effect Transistors, o MBCFET, contro la rigidità del processo FinFET adottato per i nodi a 4 nm della foundry coreana.

Nonostante ciò, Kye Hyun Kyung, direttore di Samsung Electronics Device Solutions, ha spiegato che "dovendo essere onesti, la tecnologia di Samsung Foundry è ancora arretrata rispetto a TSMC". Lo stesso Kyung, però, ha anche aggiunto che "ci aspettiamo di raggiungere e superare TSMC nel giro dei prossimi cinque anni".