Samsung: via alla produzione di memorie da 512 gigabyte eUFS

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Samsung ha annunciato il raddoppio delle dimensioni per le proprie memorie Universal Flash Storage (eUFS), che saranno disponibili anche nella versione da 512 gigabyte, con la produzione di massa che è ufficialmente cominciata.

Samsung, in precedenza, le aveva rese disponibili per le automobili, ma anche per per le macchine virtuali e tutti quei dispositivi per il mercato dell'intrattenimento o che, attraverso i molti sensori, hanno bisogno di memorizzare una grossa quantità di dati.

Per le memorie da 512 gigabyte eUFS in questione, però, Samsung sostiene che "l'applicazione ideale è per gli smartphone top di gamma e tablet", ma un altro mercato a cui si potrebbe rivolgere è quello rappresentato dai computer portatili di Microsoft, della linea Windows 10 ARM di cui vi abbiamo più volte parlato su queste pagine e che hanno registrato il rifiuto secco di NVIDIA.

A livello di velocità, Samsung promette che la lettura e scrittura sequenziale può raggiungere fino ad 860 megabyte al secondo in lettura e 255 MB/s di scrittura, ed è in grado di effettuare fino a 42.000 IOPS durante le lettura e 40.000 IOPS in fase di scrittura.

Samsung, inoltre, ha annunciato che intende "aumentare costantemente il volume di produzione per i chip 64-layer 512Gb V-NAND" ed "amplierà anche la produzione dei chip da 256GB V-NAND".