Samsung: via alla produzione di memorie da 512 gigabyte eUFS

Samsung ha annunciato il raddoppio delle dimensioni per le proprie memorie Universal Flash Storage (eUFS), che saranno disponibili anche nella versione da 512 gigabyte, con la produzione di massa che è ufficialmente cominciata.

Samsung, in precedenza, le aveva rese disponibili per le automobili, ma anche per per le macchine virtuali e tutti quei dispositivi per il mercato dell'intrattenimento o che, attraverso i molti sensori, hanno bisogno di memorizzare una grossa quantità di dati.

Per le memorie da 512 gigabyte eUFS in questione, però, Samsung sostiene che "l'applicazione ideale è per gli smartphone top di gamma e tablet", ma un altro mercato a cui si potrebbe rivolgere è quello rappresentato dai computer portatili di Microsoft, della linea Windows 10 ARM di cui vi abbiamo più volte parlato su queste pagine e che hanno registrato il rifiuto secco di NVIDIA.

A livello di velocità, Samsung promette che la lettura e scrittura sequenziale può raggiungere fino ad 860 megabyte al secondo in lettura e 255 MB/s di scrittura, ed è in grado di effettuare fino a 42.000 IOPS durante le lettura e 40.000 IOPS in fase di scrittura.

Samsung, inoltre, ha annunciato che intende "aumentare costantemente il volume di produzione per i chip 64-layer 512Gb V-NAND" ed "amplierà anche la produzione dei chip da 256GB V-NAND".