Micron

Micron Technology, una delle principali produttrici globali di RAM e di SSD, nota per le linee Crucial e Lexar, ha annunciato che la disponibilità di memorie per PC potrebbe presto peggiorare in maniera molto repentina a causa del lockdown imposto dal Governo cinese nella città di Xi'an, metropoli da 13 milioni di abitanti nel centro della Cina.

Dopo aver previsto l'aumento generalizzato nei prezzi delle memorie a stato solido, Micron ha comunicato che presto anche le memorie DRAM potrebbero subire la stessa sorte, rendendo ufficialmente questo periodo storico il peggior momento per assemblare un sistema desktop a 360 gradi.

Si arricchisce la lista delle società che, a seguito del ban di Huawei imposto dal presidente degli Stati Uniti Donald Trump la scorsa settimana, stanno tagliando i ponti con il colosso cinese. L'ultima in ordine di tempo è Micron, che è stata costretta a tagliare i ponti con la società di Shenzhen.

Micron ha annunciato una nuova linea di solid state drive basati su memorie 3D XPoint, chiamati QuantX, ed ha approfittato dell'occasione per mostrare la nuova tecnologia in azione. Il vantaggio, in termini di latenza, rispetto alle NAND Flash è corposo, anche se i compromessi non sono propriamente nulli.

Lo sviluppo delle memorie è un campo di ricerca molto importante, che porterà nei prossimi anni a un progressivo abbandono dei dischi meccanici in favore di quelli allo stato solido, sempre più capienti ed economici.

Micron ha da poco annunciato che la produzione di massa delle memorie GDDR5X è cominciata. Esse sono una versione più efficiente e più veloce delle GDDR5, che saranno su alcune delle schede grafiche di questo anno. La prima a riceverle sarà la GTX 1080.

Durante il mese di febbraio, Micron affermò di essere a buon punto con lo sviluppo delle memorie GDDR5X, e che inoltre queste sarebbero arrivate durante l'estate alla produzione di massa. Attualmente sembra che i primi sample delle GDDR5X stiano per essere spediti agli addetti ai lavori.

Lo scorso anno venimmo a conoscenza delle memorie GDRR5X, a cui Micron sta lavorando. Si tratta di una tecnologia che può approssimativamente raddoppiare il bandwidth di memoria offerto dalle GDDR5 senza imporre cambiamenti chiave al design preesistente - ed anche al prezzo.

Micron lancerà le memorie GDDR6 il prossimo anno, secondo un report diramato da Fudzilla. La nuova generazione offrirà due volte il bandwidth delle GDDR5 e sarà “la risposta dell’azienda alle HBM”. Lo sviluppo e il periodo di lancio sono stati confermati direttamente dalle direttore del Graphics Memory Business di Micron.

Micron Technology ha pianificato di iniziare le spedizioni di solid state drive basati su memoria triple-level cell (TLC) NAND, già da questo quarto. Gli SSD di questa tipologia in generale presentano una memorizzazione più affidabile rispetto alle soluzioni multi-level cell (MLC).